三星組團隊研發 4F² DRAM 儲存單元結構，面積最高減少 30%

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韓媒 The Elec 報導，記憶體大廠三星組建一支專業團隊，負責開發 4F² DRAM 儲存單元結構。相較現有 6F² DRAM 儲存單元結構，不改變製程下，4F² DRAM 儲存單元結構晶片面積最高可減少達 30%。


報導指出，原本的 4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 產業早在 10 年前就嘗試進行商業化的動作，但最後以失敗告終。

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如今，三星再組建了專業的團隊，研發 4F² DRAM 儲存單元結構晶片，其新結構的電晶體將根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）等整套系統。

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其設備結構就是在漏極（D）上方安裝一個儲存電荷的電容器，電晶體和水準排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸。其中 WL 連接到柵極（G），負責電晶體的開與關。而 BL 連接到源極（S），則是負責讀取和寫入數據。