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[新闻快讯] 三星組團隊研發 4F² DRAM 儲存單元結構,面積最高減少 30%

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    2023-5-28 00:24
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    [LV.2]天邪鬼

    发表于 2023-5-27 02:32:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    韓媒 The Elec 報導,記憶體大廠三星組建一支專業團隊,負責開發 4F² DRAM 儲存單元結構。相較現有 6F² DRAM 儲存單元結構,不改變製程下,4F² DRAM 儲存單元結構晶片面積最高可減少達 30%。


    報導指出,原本的 4F Square 是一種單元結構技術,DRAM 產業早在 10 年前就嘗試進行商業化的動作,但最後以失敗告終。
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    [LV.2]天邪鬼

     楼主| 发表于 2023-5-27 02:40:58 | 显示全部楼层
    如今,三星再組建了專業的團隊,研發 4F² DRAM 儲存單元結構晶片,其新結構的電晶體將根據電流流入和流出的方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)等整套系統。
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    [LV.2]天邪鬼

     楼主| 发表于 2023-5-27 03:07:23 | 显示全部楼层
    其設備結構就是在漏極(D)上方安裝一個儲存電荷的電容器,電晶體和水準排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸。其中 WL 連接到柵極(G),負責電晶體的開與關。而 BL 連接到源極(S),則是負責讀取和寫入數據。
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